Описание
Информация для заказа
Транзистор IGBT IRG4PH50UD
Марка транзистора: IRG4PH50UD (ИРГ4ПХ50ЮД )
Тип управляющего канала IGBT транзистора: N-Channel
Предельная постоянная рассеиваемая мощность (Pc) транзистора: 200W W
Предельно допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce) IGBT транзистора: 1200V V
Коллектор-эмиттер, напряжение насыщения (Ucesat): V
Предельное напряжение затвор-эмиттер (Ueg): V
Предельный ток коллектора транзистора (Ic): 24A A
Предельная температура (Tj): 175 C
Время нарастания: nS
Выходная емкость (Cс), Пф:
- Цена: 170 ₴

